Sustrato cerámico de nitruro de silicio para electrónica
El sustrato cerámico de nitruro de silicio para electrónica es un tipo especializado de material cerámico que se utiliza en diversas aplicaciones industriales donde se requieren alta resistencia, durabilidad y estabilidad térmica. Está hecho de una combinación de silicio, nitrógeno y otros elementos que le confieren propiedades mecánicas, térmicas y químicas únicas.
El sustrato cerámico Si3N4 tiene una resistencia mecánica excepcional, lo que lo hace altamente resistente al desgaste y al daño por impacto y compresión. También es altamente resistente a los choques térmicos, capaz de soportar cambios rápidos de temperatura sin agrietarse ni romperse. Esto lo hace ideal para su uso en industrias de alta temperatura como la aeroespacial, la ingeniería automotriz y otras áreas donde es necesaria la disipación de calor.
Además de sus propiedades mecánicas y térmicas, el sustrato cerámico Si3N4 también ofrece un excelente aislamiento eléctrico y buena resistencia a la corrosión en entornos hostiles. Se utiliza en aplicaciones de electrónica y semiconductores, como módulos de potencia y electrónica de alta temperatura, debido a sus propiedades superiores de disipación de calor y aislamiento.
En general, el sustrato cerámico de nitruro de silicio Si3N4 es un material excepcional con una amplia gama de aplicaciones. Su excepcional resistencia mecánica, estabilidad térmica, aislamiento eléctrico y resistencia química lo hacen ideal para diversas aplicaciones industriales y electrónicas donde la confiabilidad y la eficiencia son factores críticos.
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El sustrato cerámico de nitruro de silicio Torbo® para electrónica
Artículo: sustrato de nitruro de silicio
Material:Si3N4
Color gris
Espesor: 0,25-1 mm
Procesamiento de superficie: Doble pulido
Densidad aparente: 3,24 g/㎤
Rugosidad superficial Ra: 0,4 μm
Resistencia a la flexión: (método de 3 puntos): 600-1000Mpa
Módulo de elasticidad: 310Gpa
Dureza a la fractura (método IF): 6,5 MPa・√m
Conductividad térmica: 25°C 15-85 W/(m・K)
Factor de pérdida dieléctrica: 0,4
Resistividad de volumen: 25°C >1014 Ω・㎝
Fuerza de ruptura: DC >15㎸/㎜