Sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste

Sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste

Su resistencia extremadamente alta también los convierte en un material clave que aumenta la vida útil y la confiabilidad de los productos en los que se utilizan. El sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste Torbo® fabricado en China se usa en campos de la electrónica, como módulos semiconductores de potencia, reemplazando otros materiales aislantes para aumentar la producción y reducir el tamaño y el peso, los inversores y convertidores.

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Descripción del Producto

Como profesional Torbo® de alta calidadSustrato de nitruro de silicio resistente al desgastefabricante, puede estar seguro de comprar un sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste en nuestra fábrica y le ofreceremos el mejor servicio postventa y entrega oportuna. La alta concentración de silicio hace que el sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste sea altamente resistente al daño causado por la radiación ionizante. y cambios de temperatura, lo que los hace ideales para su uso en aplicaciones espaciales y de alta temperatura. Un Torbo®Sustrato de nitruro de silicio resistente al desgastees un material utilizado en la fabricación electrónica. Está hecho de una fina capa de nitruro de silicio, que tiene una alta resistencia a la conductividad eléctrica y una alta concentración de átomos de silicio. Este material se utiliza comúnmente en la producción de dispositivos semiconductores, como transistores y diodos, así como dispositivos optoelectrónicos, como células solares y diodos emisores de luz (LED).

El sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste Torbo®

Artículo: sustrato de nitruro de silicio

Material:Si3N4

Color gris

Espesor: 0,25-1 mm

Procesamiento de superficie: Doble pulido

Densidad aparente: 3,24 g/㎤

Rugosidad superficial Ra: 0,4 μm

Resistencia a la flexión: (método de 3 puntos): 600-1000Mpa

Módulo de elasticidad: 310Gpa

Dureza a la fractura (método IF): 6,5 MPa・√m

Conductividad térmica: 25°C 15-85 W/(m・K)

Factor de pérdida dieléctrica: 0,4

Resistividad de volumen: 25°C >1014 Ω・㎝

Fuerza de ruptura: DC >15㎸/㎜

La Bolsa®Sustrato de nitruro de silicio resistente al desgastefabricados en la fábrica de China se utilizan en campos de la electrónica, como módulos semiconductores de potencia, inversores y convertidores, reemplazando otros materiales aislantes para aumentar la producción y reducir el tamaño y el peso.

Su extremadamente alta resistencia también los convierte en un material clave que aumenta la vida útil y la confiabilidad de los productos en los que se utilizan. Disipación de calor de doble cara en tarjetas de potencia (semiconductores de potencia), unidades de control de potencia para automóviles

Preguntas más frecuentes

3. ¿Cuáles son las ventajas de utilizar un sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste en productos electrónicos?

Los sustratos electrónicos ofrecen varias ventajas, como una excelente estabilidad térmica y mecánica, una alta precisión dimensional y un bajo coeficiente de expansión térmica (CTE).

4. ¿Cuáles son los desafíos en la fabricación de sustratos de nitruro de silicio resistentes al desgaste?

Los principales desafíos en la fabricación de sustratos electrónicos incluyen garantizar un espesor uniforme, evitar defectos como huecos y delaminación y controlar el CTE.

5. ¿Se puede personalizar el sustrato de nitruro de silicio resistente al desgaste para cumplir con los requisitos específicos del producto?

Sí, los sustratos electrónicos se pueden personalizar para cumplir con los requisitos específicos del producto ajustando parámetros como el espesor, la constante dieléctrica y la rigidez. Esto permite una mayor flexibilidad en el diseño del producto y la optimización del rendimiento.


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